Simone紫外光刻
的有关信息介绍如下：紫外光刻是一种用于材料科学领域的工艺试验仪器，于2008年08月31日启用。它是用于将涂有光刻胶的晶片与掩膜对准，然后曝光，将掩膜的图形转移到晶片的光刻胶上，用于纳米器件的微加工。紫外光刻仪的技术指标包括光源为350WNUV汞灯，波长为365nm、400nm、436nm，均匀光束面积为6’diamaterarea，光束均匀性为±1-2%over2’diamater ±2-3%over4’diamaterarea ±3-5%over6’diamaterarea，掩模尺寸为3’and5’，硅片尺寸为2’and4’，曝光模式包括Softcontact、Hardcontact、Vacuumcontact、Proximitygap，最佳分辨率为0.6微米，曝光时间为0.1~999.9s可调，CCD分辨率为90x~600x。紫外光刻机是一种用于数学领域的分析仪器，于2012年7月1日启用，属于电子光学仪器类别。此外，还有深紫外光刻技术，它采用反射光照射的非成像方式，使用波长在180～260纳米的深紫外光通过平管透镜聚集成平行光照射在掩模版上，使掩模版的图像复印到基片上，可用于亚微米级精细图形的加工。光刻技术是制造芯片的核心步骤之一，通过类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。光刻机的工作环境需要超洁净，以保证微纳米尺度下的加工精度。
