场效应管参数

场效应管参数

‌场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种电压控制型半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。其基本参数包括但不限于以下几个方面：‌夹断电压（UP或UGS(OFF)：在耗尽型结型场效应管或耗尽型绝缘栅型场效应管源极接地的情况下，能使其漏源输出电流减小到零时所需的栅源电压。‌开启电压（UT或UGS(th)：增强型绝缘栅型场效应管在漏源电压UDS为一定值时，能使其漏、源极开始导通的最小栅源电压。‌饱和漏电流（IDSS）：耗尽型场效应管在零偏压（即栅源电压UGS为零）、漏源电压UDS大于夹断电压Up时的漏极电流。‌击穿电压（BUDS和BUGS）：包括漏源击穿电压BUDS和栅源击穿电压BUGS，分别表示场效应管能承受的最大漏源电压和栅源电压。‌耗散功率（PD）：漏极耗散功率，约等于漏源电压UDS与漏极电流ID的乘积。‌漏泄电流（IGSS）：栅—沟道结施加反向偏压时产生的反向电流。‌直流输入电阻（RGS）：栅源绝缘电阻，约等于栅源电压UGS与栅极电流的比值。‌漏源动态电阻（RDS）：漏源电压UDS的变化量与漏极电流ID的变化量之比。‌低频跨导（gm）：栅极电压UG对漏极电流ID的控制能力，类似于三极管的电流放大倍数β值。极间电容：包括栅源极电容（CGS）、栅漏极电容（cGD）和漏源极电容（CDS），这些电容影响场效应管的频率响应特性。为了更深入了解场效应管的基本参数及其应用，可以观看相关视频教程，它们提供了直观的讲解和实例分析，帮助更好地理解和应用这些参数：